在了解5V单片机驱动mos管电（diàn）路之前（qián），先了解一下单片机驱（qū）动mos管电路图及（jí）原理（lǐ），单片（piàn）机驱（qū）动mos管电（diàn）路主要根据MOS管要驱（qū）动（dòng）什（shí）么东西，要（yào）只是一个（gè）继电器（qì）之（zhī）类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意（yì）电（diàn）感类（lèi）负载要加保护二极管（guǎn）和吸收缓冲，最（zuì）好（hǎo）用N沟道的MOS。

如（rú）果驱（qū）动的东西(功率)很大，(大电流、大电（diàn）压的场合（hé）)，最好要（yào）做电气隔离（lí）、过流超压保护、温（wēn）度保（bǎo）护等……此（cǐ）时既要隔离传送控制信号（hào）(例如（rú）PWM信号)，也要给驱（qū）动级(MOS管的（de）推动（dòng）电（diàn）路)传（chuán）送电能（néng）。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电（diàn）能（néng）的传送可以用DC-DC模（mó）块（kuài）。如果是做产（chǎn）品的话建（jiàn）议自（zì）己搞一个（gè）建议的DC-DC，这样可以降低成本。然后MOS管（guǎn）有一种简单的驱动方（fāng）式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用于MOS开（kāi）启驱动，一（yī）个用于MOS快速（sù）关断。
图一（yī）：适（shì）合开关频率（lǜ）不高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越高，R2、R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的（de）分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能（néng）大于（yú）40V。

补充：图二（èr）：适（shì）合高频大功率场合，到达（dá）100KHz没问题（tí），同时（shí）可以（yǐ）并联多（duō）个MOSFET-P管

R2、R3需要满足和图一一样的条（tiáo）件（jiàn），其实就（jiù）是图（tú）一加了级推挽，这样（yàng）就可（kě）以保证MOSFET管高速开关，上面6P小（xiǎo）电容是发射结结电容（róng）补偿电容（róng），可（kě）以改善三极管高速（sù）开关特性。

另外：MOSFET的栅极电容较大，在（zài）使用的时候应该把它（tā）当成一个容（róng）抗负载来看。

MOS管驱动（dòng）电路

在（zài）使用MOS管设（shè）计开（kāi）关电源或者马（mǎ）达（dá）驱动（dòng）电（diàn）路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通（tōng）电（diàn）阻，最大电（diàn）压等，最大电流（liú）等，也有很多（duō）人仅仅考（kǎo）虑这些因素（sù）。这（zhè）样的电路（lù）也许（xǔ）是可以工作的，但并不是优秀的（de），作为正式的（de）产品设计（jì）也（yě）是不允许的。

MOS管（guǎn）导通特（tè）性（xìng）

导通的意（yì）思是作为开关，相当于开关闭（bì）合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适（shì）合用于源极接（jiē）地（dì）时（shí）的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到（dào）4V或（huò）10V就可（kě）以（yǐ）了。PMOS的特（tè）性：Vgs小于一定的值就（jiù）会导通（tōng），适合用于（yú）源极接VCC时的情况(高（gāo）端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便（biàn）地用作高端驱动（dòng），但由于导（dǎo）通电阻大，价格贵，替换种（zhǒng）类少等原因（yīn），在高端驱动（dòng）中，通常还是使用NMOS。

MOS开关管损（sǔn）失

MOS管驱动电路不管是NMOS还（hái）是PMOS，导通后都有导通电阻存在（zài），这样电（diàn）流（liú）就会在这个（gè）电（diàn）阻上消耗能量，这部（bù）分消耗（hào）的（de）能量叫做导通损耗（hào）。选择导通电阻小的MOS管会（huì）减小导通损耗。现（xiàn）在的小（xiǎo）功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧（ōu）的也（yě）有。

MOS在导通和截止的时（shí）候（hòu），一定不是在（zài）瞬间完成的（de）。MOS两端（duān）的电压有一个下降的过程（chéng），流过的电流有一个（gè）上升的过程（chéng），在这段（duàn）时（shí）间内，MOS管的损失是电（diàn）压和电流（liú）的乘（chéng）积，叫做开关（guān）损失。通（tōng）常开关损失比导通损失（shī）大得多，而且开关频（pín）率（lǜ）越快（kuài），损失也越大。

导通瞬（shùn）间电压和（hé）电（diàn）流的乘积很（hěn）大（dà），造成的损失也就很大（dà）。缩（suō）短开（kāi）关时间，可以减（jiǎn）小（xiǎo）每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开（kāi）关次数（shù）。这两种办法都（dōu）可以减小（xiǎo）开（kāi）关损失。

MOS管驱（qū）动

跟双（shuāng）极性晶体管相比，一般认（rèn）为使MOS管导通（tōng）不需（xū）要电（diàn）流，只要GS电压高（gāo）于一（yī）定的值，就可（kě）以了（le）。这个很容易（yì）做到，但是，我们还需要速度。在MOS管（guǎn）的结构中（zhōng）可以看到，在GS，GD之间存在寄（jì）生电容，而（ér）MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电（diàn）容的充（chōng）电（diàn）需要（yào）一个（gè）电流，因为对电容充（chōng）电瞬间可以把（bǎ）电容看成短路（lù），所以瞬（shùn）间电流会比较（jiào）大。选择/设计MOS管驱动时第一要（yào）注意的是可提（tí）供瞬间短路电流的大小。

MOS管驱动电路第二注意（yì）的是，普（pǔ）遍用于高端驱动的NMOS，导（dǎo）通时（shí）需要是栅极电压大于源（yuán）极电压。而高端驱动的MOS管（guǎn）导通时源极电压与（yǔ）漏极电压（yā）(VCC)相同，所以这时栅极（jí）电压要比VCC大4V或10V。如（rú）果（guǒ）在（zài）同（tóng）一个系统里，要得到比VCC大的电（diàn）压，就要专门的升压（yā）电路了。很多马达驱动器都集成（chéng）了电（diàn）荷泵，要（yào）注意的是应（yīng）该 选择合（hé）适（shì）的（de）外接电容，以得到足够的短路电流（liú）去驱动（dòng）MOS管。

上边说（shuō）的4V或10V是常用的MOS管的导通电压（yā），设（shè）计（jì）时（shí）当然需要有一（yī）定的余量（liàng）。而且电压越高，导通速度越快，导（dǎo）通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管（guǎn）用在不同的领域里，但在（zài）12V汽车电子系统里，一（yī）般4V导通就（jiù）够用（yòng）了。MOS管的驱动电路及其损失，可以参（cān）考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲（jiǎng）述得（dé）很（hěn）详细（xì），所以不打算（suàn）多写了（le）。

MOS管应（yīng）用电（diàn）路

MOS管最显著的（de）特性是开关特性好，所（suǒ）以被广（guǎng）泛应用在（zài）需要电子开关的电（diàn）路中（zhōng），常见的如（rú）开关电源和马达驱动（dòng），也有照（zhào）明（míng）调（diào）光。

二（èr）、现在的MOS驱动，有几个特别（bié）的应（yīng）用：

1、低压（yā）应（yīng）用当使用5V电源，由于三极管的be有0.7V左右的压（yā）降，导致实际最终加在（zài）gate上的电压只有（yǒu）4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在（zài）使用3V或（huò）者其他低压电源的场合。

2、宽（kuān）电压应（yīng）用输入电（diàn）压并不是一（yī）个固定值，它会随着时间或者（zhě）其他因素而变动。这个变动导致PWM电路（lù）提供（gòng）给MOS管的驱动电压是不稳（wěn）定（dìng）的。为（wéi）了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置（zhì）了（le）稳压（yā）管强行限制gate电（diàn）压的幅值。在这种情况下，当（dāng）提（tí）供的驱（qū）动（dòng）电压超过稳（wěn）压管的电压（yā），就会引起较大的静态功耗（hào）。同时，如果（guǒ）简单的用电阻分压的原理降低（dī）gate电（diàn）压，就会（huì）出（chū）现输（shū）入电（diàn）压比较高的时候，MOS管（guǎn）工作（zuò）良好，而输（shū）入电压降低的时候（hòu）gate电压（yā）不足，引（yǐn）起导通不够彻底（dǐ），从而增（zēng）加功耗。

3、双电（diàn）压应用在一些控制电路中，逻辑（jí）部分使用典（diǎn）型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用（yòng）12V甚至更高的电压。两个（gè）电压采用共地方式连接。MOS管（guǎn）驱动电路。这就提出一（yī）个要求，需要使用一个（gè）电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中（zhōng）提到的问题。